中芯国际第二代FinFET工艺有望与2020年底试产

媒体报道，第一代FinFET 14纳米已于2019年四季度量产；第二代FinFET N+1已进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产。梁孟松披露，中芯国际的下一代N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。2019年，14nm工艺首次贡献了1%的营收，约768.9万美元。如果N+1工艺能够尽快落地，对于中芯国际而言，无疑是强心剂

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