经常使用存储器

存储器分类

存储器分为两类，一是易失性存储器和二是非易失性存储器(即掉电以后数据还能正常保存的性能)

易失性存储器的读写速度通常较快，而非易失性存储器较慢

RAM存储器

DRAM经过电容的充放电表示逻辑1和0,可是因为电容的电压容易改变，就会致使DRAM中存储的数据就会改变，故DRAM有一个刷新机制，即Dynamic(动态)，每过一段时间来检查每一个电容的值，因为掉电使电压变小时，电容大于阈值，但小于逻辑1，电容就会被充电，反之，当电容小于阈值，但大于逻辑0时，电容就会被放电。

SRAM经过锁存器来保存数据，SRAM只须要一直供电便可完完整整地保存数据，并不会由于放电丢失。

DRAM与SRAM比较

DRAM通常使用同步通信的，SDRAM(Synchronous DRAM)同步通讯

SRAM使用异步通信

ROM(Read Only Memory)存储器

EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)可擦除可编程只读存储器 EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)带电可擦可编程只读存储器

NOR FLASH的结构较为复杂，而NAND FLASH的结构较为复杂

STM32中的FLASH为NOR FLASH虽然容量较小可是死区(即没法使用的区域)较少，因为NOR FLASH能够基于字节读写，故支持XIP(程序在片上执行功能)。

而NAND FLASH通常作大容量的数据存储，例如移动硬盘等

而与ROM等存储器相比较，FLASH的擦除操做为块擦除，而ROM是字节擦除