如何减小SRAM读写操作时的串扰

静态存储器SRAM是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的存储器。在SRAM 存储阵列的设计中，经常会出现串扰问题发生。那么要如何减小如何减小SRAM读写操作时的串扰，以及提高SRAM的可靠性呢，下面由宇芯电子来简单介绍。 设计结果与仿真分析 图1为脉冲产生电路通过analog Environment的仿真波形图。当地址产生变化，由于信号经过的延迟路径长短不同而产生了脉冲，当V1脉冲生成时，作

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