RRAM：闪存技术的终结者？

RRAM，阻变式存储器(Resistive Random Access Memory)的简称， RRAM是一种“根据施加在金属氧化物(Metal Oxide)上电压的不同，使材料的电阻在高阻态和低阻态间发生相应变化，从而开启或阻断电流流动通道，并利用这种性质储存各种信息的内存，其可显著提高耐久性和数据传输速度的可擦写内存技术，也被认为是电路的第四种基本元件，仅次于电阻器、电容器及电感元件。 与所有

>>阅读原文<<