硬件电路设计基础：场效应管（1）

N沟道结型场效应管 从结型场效应管的结构可以看出，在栅极和导电沟道之间存在一个PN结。我们以N沟道结型场效应管为例来说明。 如图所示。当在漏极D和源极S之间加上电源ED后，则在N型沟道中产生从漏极流向源极的电流 ID 。由PN结的特性可知，若在栅极G和源极S间加上负电压 EG ，PN结的宽度增加，且负电压越大，PN结就越宽，造成沟道变窄，沟道电阻变大，因此只要改变偏压 U GS 便可控制漏极电流

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