宽输入、高输出电流的非隔离降压转换器的设计使用伊根FET

       设计和建造具有宽输入电压范围和高输出电流的隔离降压型DC/DC转换器，在标准5 V输出端使用硅MOSFET可以实现，但性能有限，尤其是在低负载和高输入电压下。更重要的是，随着硅的成熟，在输入电压高的情况下，在轻负载下，从宽输入降压型DC/DC转换器中榨取更多的汁液是具有挑战性的。与硅MOSFET，增强型氮化镓基场效应晶体管(Egan)承诺过的输入和输出参数的一组相同宽的负载提供更好的

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