基于MRAM和NVMe的未来云存储解决方案
在2019全球闪存峰会上，Everspin作为全球MRAM存储芯片龙头分享如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案。 首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势： 非易失性存储器芯片，比传统的SRAM或者DRAM在数据保持方面更强； 芯片容量较大，单颗芯片容量高达1Gb； 采用DDR4接口，带宽可以到2.7GB/s，超强性能； 擦写次数几十亿次！
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