半导体物理学——（二）半导体中杂志和能级缺陷

实际半导体与理想半导体的区别 理想半导体：假设晶格原子严格按照周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。 理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。 理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷线缺陷面缺陷等。 杂质分类 浅能级杂质的计算（杂质电离能） 杂质的补偿作用施主杂质与受主杂质之间有相互抵消的作用 双性行为Si(+4)在AsGe中

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