SDRAM 和 NAND FLASH

SDRAM

1 SDRAM逻辑原理图

　　其存储结构的逻辑图，以下图所示。

              

　　与表格的检索原理同样，先指定一个行（Row）而后再指定一个列（Column），就能够准确地找到所须要的单元格，这就是SDRAM寻址的基本原理 。这个单元格被称为存储单元，而这个表格就是逻辑Bank（Logical Bank），SDRAM通常含有4个L-Bank。

　　任何一款SDRAM都须要注意它的一些信息，如位宽、列/行地址、刷新周期、以及Bank地址。其中，位宽是从原理图中能够获得，而 列/行地址、刷新周期 以及bank地址则是从芯片的数据手册中获得。

　　SDRAM：在计算其地址空间时，即地址大小时，并不能看数据线的位数。例如一个SDRAM芯片它只有13根地址线，2的13次方8K，每一个地址对应4字节的话，也就只有32K。而芯片手册上一般都会比这个大，这是由于还有两根线，行地址(nSRAS)，列地址(nSCAS)。另外，还有LnWBE0,LnWBE1，表示对应字节的写使能，意思就是若是SDRAM芯片是16位，但如今只想写低8位，那么此时咱们就能够只拉低LnWBE1，这样高字节部分写使能消失。若是没有这两个引脚的话，那只能先读16位，而后修改，再回写进SDRAM。

2 S3C2440 与 SDRAM

　　链接

　　一般能够看到，在原理图中，若是SDRAM是32位（多是由两个SDRAM合起来）的，那么S3C2440的A0/A1并不与SDRAM链接，而是从A2开始链接的，这是由于SDRAM是32位的，4个bytes。那么S3C2440发出地址便可以获得4个字节，而S3C2440是按字节寻址的，因此须要低2位来划分这4个字节并取出须要的字节。

　　另外一般S3C2440的BANK6~BANK7比较特别，由于只有它们能够链接SDRAM，具体能够参看相关数据手册。

　　访问

　　一般处理器外围会链接一系列存储的设备，如SDRAM\DM9000，那么如何访问这些芯片呢。就是CPU经过存储管理器实现。例如CPU须要读0x30000000读4字节数据。那么CPU只须要执行下列汇编指令便可：mov r1, #0x30000000; ldr r0, [r1]。由存储管理器，根据配置信息得知0x30000000是对应内存SDRAM的地址，因此须要有SDRAM的时序，如1发出片选信号，2bank选择信号，3列地址，4行地址。这4步都是由存储管理器实现。

3 其它

　　内存分为SRAM\SDRAM\DDR。

　　（1）SRAM速度快，但成本高，使用方法简单，直接发地址，而后读写。

　　（2）SDRAM则是成本低，但访问方法复杂，地址还分为列地址、行地址并且须要不断地刷新它。另外DDR，是指传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输。

　　（3）DDR SDRAM却能够在信号的上升沿和降低沿都进行数据传输，因此DDR内存在每一个时钟周期均可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。

　　网卡、NORFLASH的接口与SRAM同样，术语上称为ram-like。因此，若是须要接NORFLASH或者网卡，则能够直接接在bank0~bank5，而若是是SDRAM，则应该挂接在BANK6-7。

Nand Flash

1 分类

　　一般能够分为大页nand flash 和小页nand flash，其中大页是指一页有2K字节，而小页只有512字节。64页组成一块。

2 地址空间

　　NandFlash编址：1页大小其实是2048+64（OOB）。64在多数状况下是不参与编址的。而是作为冗余检测所用。

　　因为nand flash是独立编址，因此大多数的时候，读写nand flash它是要先领先链接线，发命令、发地址、发数据，并不能直接寻址到相应的位置（不像SDRAM同样）。

总结寻址方式至少分为两种

1 SDRAM、DM9000它们的芯片上都有地址信号线

2 NandFlash的芯片上是没有地址信号线的

　　诸如1类的存储器芯片（能够包括SDRAM\DM9000\SRAM\寄存器），它们用的地址都是CPU能够看见的，是CPU发出来的。即CPU统一编址。

　　但诸如2类的CPU链接的NandFlash，那么显然它也是本身的独立的地址空间。因此它们是经过发送地址、命令、数据等信号。